SI4425DY

产品描述

MOSFET SO8 PCH 30V

内部编号

生产厂商

数量:5000

最小起订金额:￥￦600
新加坡
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Status	Obsolete
产品种类	MOSFET
RoHS	RoHS Compliant
晶体管极性	P-Channel
漏源击穿电压	- 30 V
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	- 11 A
抗漏源极RDS （ ON）	0.014 Ohms
配置	Single Quad Drain Triple Source
最高工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT
封装/外壳	SOIC-8 Narrow
封装	Reel
下降时间	100 ns
正向跨导gFS （最大值/最小值）	32 S
最低工作温度	- 55 C
功率耗散	2.5 W
上升时间	16 ns
工厂包装数量	2500
典型关闭延迟时间	50 ns
零件号别名	SI4425DY_NL
寿命	Obsolete
最大门源电压	±20
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
通道模式	Enhancement
标准包装名称	SOIC
包装高度	1.5(Max)
安装	Surface Mount
最大功率耗散	2500
渠道类型	P
最大漏源电阻	14@10V
最低工作温度	-55
最大漏源电压	30
每个芯片的元件数	1
包装宽度	4(Max)
供应商封装形式	SOIC N
包装长度	5(Max)
PCB	8
最大连续漏极电流	11
引脚数	8
铅形状	Gull-wing

型号	厂家	产品描述
SI4425DY-E3	Vishay / Siliconix	MOSFET 30V 11A 2.5W
SI4425DY-T1	Vishay / Siliconix	MOSFET 30V 11A 2.5W
SI4425DY-T1-E3	Vishay / Siliconix	MOSFET 30V 11A 2.5W
SI4425BDY	Vishay	Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N
SI4425BDY-E3	Vishay	Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N
SI4425BDY-T1	Vishay	Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI4425BDY-T1-E3	vishay / semiconductor	Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI4425BDY-T1-E3	vishay / siliconix	Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI4425BDY-T1-GE3	vishay / semiconductor	Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI4425BDY-T1-GE3	vishay / siliconix	Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI4425DDY-T1-G>	vishay / semiconductor	Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
SI4425DDY-T1-G>	Vishay / Semiconductor	Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
SI4425DDY-T1-GE3	vishay / semiconductor	Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
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